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  • 型号: STP10NM65N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NM65N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTP10NM65N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP10NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 9A TO-220MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NM65NMDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STP10NM65N

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

480 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

480 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

8 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

480 毫欧 @ 4.5A,10V

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产品种类

Power MOSFET Transistors

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7499-5
STP10NM65N-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF199114?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

50 ns

功率-最大值

90W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

系列

STP10NM65N

通道模式

Enhancement

配用

/product-detail/zh/STEVAL-ISA032V1/497-6416-ND/1786217

配置

Single

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