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产品简介:
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IXYS品牌的IXFP14N60P3是一款功率MOSFET晶体管,属于单N沟道FET器件,常用于高电压和中高功率应用场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和14A的连续漏极电流能力,具备良好的导通特性和开关性能。 该型号广泛应用于以下场景: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源模块,适用于需要高效能和高稳定性的工业电源系统。 2. 电机驱动与变频器:用于电机控制、变频调速系统中,如伺服驱动器、无刷直流电机控制器等。 3. 逆变器系统:包括太阳能逆变器、UPS不间断电源、储能系统逆变器等,用于将直流电转换为交流电。 4. 工业自动化设备:如工业控制柜、PLC模块、高频电源设备等,适合高可靠性要求的工业环境。 5. 充电设备:如电动车充电器、电池充电管理系统(BMS)中的功率开关元件。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热,适合高功率密度设计,同时具备较低的导通电阻和开关损耗,有助于提升系统效率并减少发热。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFP14N60P3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | Polar3™ HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 7A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 327W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |