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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH88N30P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH88N30P价格参考。IXYSIXFH88N30P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH88N30P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH88N30P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH88N30P是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的概述: 1. 开关电源(SMPS): IXFH88N30P适用于各种开关电源设计,包括AC-DC和DC-DC转换器。其300V的击穿电压使其能够承受较高的电压波动,适合用于工业级或消费级电源适配器、充电器等。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)或其他类型的电机驱动电路中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合中小型电机控制应用。 3. 逆变器: 在光伏逆变器或UPS系统中,IXFH88N30P可以作为高频开关元件使用。其快速开关特性和高耐压能力确保了在逆变过程中稳定运行。 4. 负载切换: 该器件适用于需要频繁切换高电压负载的应用场景,例如汽车电子中的负载切换模块或工业设备中的继电器替代方案。 5. 电池管理系统(BMS): 在锂电池保护板或其他电池管理系统中,IXFH88N30P可以用作充放电控制开关,提供可靠的过流保护功能。 6. 脉宽调制(PWM)控制器: MOSFET是PWM电路的核心元件之一,IXFH88N30P可应用于LED驱动、音频放大器等需要精确调节输出功率的场合。 7. 工业自动化设备: 包括PLC输入/输出模块、传感器接口电路以及各种工业控制系统的功率级部分,都可以利用IXFH88N30P实现高效能的信号传输与处理。 总结来说,IXFH88N30P凭借其高耐压、低导通电阻及良好的热性能,在电力电子领域有着广泛的应用价值,尤其适合对效率和可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 88A TO-247MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 88 A |
| Id-连续漏极电流 | 88 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH88N30PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH88N30P |
| Pd-PowerDissipation | 600 W |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 44A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 功率-最大值 | 600W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 300 V |
| 漏极连续电流 | 88 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 88A (Tc) |
| 系列 | IXFH88N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |