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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STF14NM65N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能功率管理的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器,因其具备高耐压(650V)和良好的导通电阻特性,适合中高功率电源设计。 2. 电机驱动:用于工业电机控制、电动工具和家电中的电机驱动电路,提供高效、快速的开关性能。 3. 照明系统:如LED照明驱动电源,适用于需要高效率和高稳定性的照明应用。 4. 消费电子产品:包括电视电源、充电器、电源插座等设备中,用于提高能效和减小体积。 5. 工业自动化:用于变频器、伺服驱动器和自动化控制系统中的功率开关元件。 该器件采用TO-220封装,易于散热和安装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合在中高功率环境下使用。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STF14NM65N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-10316-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF209364?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |