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NTMFS4939NT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4939NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4939NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4939NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 9.3A(Ta),53A(Tc) 920mW(Ta),30W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)。您可以下载NTMFS4939NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4939NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4939NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 NTMFS4939NT1G 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启停、转速和方向。其快速开关特性和低功耗性能适合高效电机控制。 3. 负载开关 作为负载开关,NTMFS4939NT1G 可用于便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中的电源路径管理,实现对不同负载的动态供电控制。 4. 电池保护 在电池管理系统(BMS)中,这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。 5. 通信设备 在网络通信设备(如路由器、交换机)中,可用于信号隔离、电源切换和高效功率传输。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中,例如车身控制模块(BCM)、LED 照明驱动和辅助电源单元中,NTMFS4939NT1G 的高可靠性和耐热性使其成为理想选择。 7. 消费类电子产品 包括笔记本电脑适配器、USB 充电器、智能家居设备等,该 MOSFET 可提供高效的功率转换和稳定的电流控制。 总之,NTMFS4939NT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和快速响应的各类场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 30V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15.7 A |
Id-连续漏极电流 | 15.7 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4939NT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTMFS4939NT1G |
Pd-PowerDissipation | 2.58 W |
Pd-功率耗散 | 2.58 W |
Qg-GateCharge | 28.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 28.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1954pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 30A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6) |
其它名称 | NTMFS4939NT1GOSCT |
功率-最大值 | 920mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN, 5 引线 |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 34 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.3A (Ta), 53A (Tc) |
系列 | NTMFS4939N |
配置 | Single |