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  • 型号: NTMFS4939NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTMFS4939NT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4939NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4939NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4939NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 9.3A(Ta),53A(Tc) 920mW(Ta),30W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)。您可以下载NTMFS4939NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4939NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4939NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括:

1. 电源管理  
   NTMFS4939NT1G 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高转换效率。

2. 电机驱动  
   在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启停、转速和方向。其快速开关特性和低功耗性能适合高效电机控制。

3. 负载开关  
   作为负载开关,NTMFS4939NT1G 可用于便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中的电源路径管理,实现对不同负载的动态供电控制。

4. 电池保护  
   在电池管理系统(BMS)中,这款 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。

5. 通信设备  
   在网络通信设备(如路由器、交换机)中,可用于信号隔离、电源切换和高效功率传输。

6. 汽车电子  
   在汽车电子系统中,例如车身控制模块(BCM)、LED 照明驱动和辅助电源单元中,NTMFS4939NT1G 的高可靠性和耐热性使其成为理想选择。

7. 消费类电子产品  
   包括笔记本电脑适配器、USB 充电器、智能家居设备等,该 MOSFET 可提供高效的功率转换和稳定的电流控制。

总之,NTMFS4939NT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和快速响应的各类场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15.7 A

Id-连续漏极电流

15.7 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4939NT1G-

数据手册

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产品型号

NTMFS4939NT1G

Pd-PowerDissipation

2.58 W

Pd-功率耗散

2.58 W

Qg-GateCharge

28.5 nC

Qg-栅极电荷

28.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1954pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6)

其它名称

NTMFS4939NT1GOSCT

功率-最大值

920mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN, 5 引线

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

34 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.3A (Ta), 53A (Tc)

系列

NTMFS4939N

配置

Single

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