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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP8NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP8NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTP8NM50N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP8NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP8NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STP8NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理和功率转换场景。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC和DC-DC转换器,如电源适配器、PC电源、服务器电源等,因其具备高耐压(500V)和良好的导通电阻特性,能有效提高转换效率。 2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机等的驱动电路中,适用于工业自动化、电动工具、电动车控制系统等场合。 3. 逆变器与变频器:在太阳能逆变器、UPS(不间断电源)、变频空调等设备中,作为功率开关元件,实现电能形式的高效转换。 4. 照明系统:用于LED照明或高强度气体放电灯(HID)的电子镇流器中,提供稳定高效的电流控制。 5. 电池管理系统:在电池充放电管理电路中作为开关元件,常见于储能系统和电动汽车相关应用。 该器件采用TO-220封装,安装简便,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220ABMOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
Id-连续漏极电流 | 5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP8NM50NMDmesh™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STP8NM50N |
Pd-PowerDissipation | 45 W |
Pd-功率耗散 | 45 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 790 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 790 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 364pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 790 毫欧 @ 2.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-10965-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248413?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Tc) |
系列 | STP8NM50N |