Datasheet下载- 型号： SI7818DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7818DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7818DN-T1-E3价格参考。VishaySI7818DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7818DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7818DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7818DN-T1-E3是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单晶体管类别。该型号广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景中，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： SI7818DN适用于各种DC-DC转换器、降压/升压转换器和开关模式电源（SMPS）中，用于高效地切换电流并调节输出电压。 2. 负载开关： 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，该MOSFET可用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，从而降低功耗。 3. 电机驱动： 用于小型直流电机的驱动电路中，提供精确的电流控制和快速开关能力，适合家用电器、玩具和自动化设备中的电机应用。 4. 电池保护： 在便携式设备中，SI7818DN可用于电池保护电路，防止过流、短路或反向充电等问题，确保电池的安全性和使用寿命。 5. 信号切换： 在通信设备和工业控制系统中，该MOSFET可以用作信号切换元件，实现高速信号的隔离和传输。 6. 汽车电子： 虽然SI7818DN并非专为汽车级设计，但在一些非关键性车载应用中（如照明控制或传感器接口），它也可以发挥作用。 7. LED驱动： 在LED照明系统中，该器件可以用于恒流驱动电路，确保LED在稳定的工作条件下运行。 SI7818DN的特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，这些特性使其非常适合低功耗、高效率的应用场合。同时，其小型化的封装（如DFN封装）也便于在紧凑型设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8MOSFET 150V 3.4A 3.8W 135mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73252 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7818DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7818DN-T1-E3SI7818DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7818DN-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 135 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 2.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7818DN-E3 |
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