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  • 型号: NTHD3101FT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTHD3101FT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3101FT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3101FT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3101FT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tj) 1.1W(Ta) ChipFET™。您可以下载NTHD3101FT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHD3101FT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTHD3101FT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):NTHD3101FT1G 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可用作主开关或同步整流器,提供高效的能量转换。
   - 负载开关:由于其快速开关速度和低损耗,适用于需要频繁开启和关闭的负载电路。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:可用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机,实现速度控制和方向切换。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:在锂电池或铅酸电池保护电路中,用作充放电路径的开关,防止过流、短路或反接。
   - 均衡电路:用于电池组中的电压均衡功能。

 4. 消费电子
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理模块。
   - 音频设备:在低功率音频放大器中,用作输出级开关。

 5. 工业应用
   - 固态继电器 (SSR):替代传统机械继电器,用于工业控制中的开关操作。
   - 信号调节:在工业传感器或仪表中,用作信号通断控制。

 6. 汽车电子
   - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等需要低功率驱动的场景。
   - LED 照明:用于汽车 LED 灯的调光和开关控制。

 7. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站的辅助电源模块中,用作高效的功率开关。
   - 信号调理:在通信接口中,用作信号路径的开关。

 总结
NTHD3101FT1G 凭借其优异的电气性能(如低 Rds(on)、高电流承载能力和快速开关速度),广泛应用于各种需要高效功率开关和低损耗的场景。它特别适合低电压、中低功率的应用场合,能够显著提高系统的效率和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFETMOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.4 A

Id-连续漏极电流

- 4.4 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3101FT1G-

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产品型号

NTHD3101FT1G

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

64 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

64 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

11.7 ns

下降时间

12.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

680pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7.4nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 3.2A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ChipFET™

其它名称

NTHD3101FT1GOSTR

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

1.1W

功率耗散

1.1 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

64 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

1206-8 ChipFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

8 S

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 4.4 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.2A (Tj)

系列

NTHD3101F

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

闸/源击穿电压

+/- 8 V

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