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NTHD3101FT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3101FT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3101FT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3101FT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tj) 1.1W(Ta) ChipFET™。您可以下载NTHD3101FT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHD3101FT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD3101FT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):NTHD3101FT1G 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中,该 MOSFET 可用作主开关或同步整流器,提供高效的能量转换。 - 负载开关:由于其快速开关速度和低损耗,适用于需要频繁开启和关闭的负载电路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:可用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机,实现速度控制和方向切换。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:在锂电池或铅酸电池保护电路中,用作充放电路径的开关,防止过流、短路或反接。 - 均衡电路:用于电池组中的电压均衡功能。 4. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理模块。 - 音频设备:在低功率音频放大器中,用作输出级开关。 5. 工业应用 - 固态继电器 (SSR):替代传统机械继电器,用于工业控制中的开关操作。 - 信号调节:在工业传感器或仪表中,用作信号通断控制。 6. 汽车电子 - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等需要低功率驱动的场景。 - LED 照明:用于汽车 LED 灯的调光和开关控制。 7. 通信设备 - 基站电源:在通信基站的辅助电源模块中,用作高效的功率开关。 - 信号调理:在通信接口中,用作信号路径的开关。 总结 NTHD3101FT1G 凭借其优异的电气性能(如低 Rds(on)、高电流承载能力和快速开关速度),广泛应用于各种需要高效功率开关和低损耗的场景。它特别适合低电压、中低功率的应用场合,能够显著提高系统的效率和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFETMOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管(隔离式) |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3101FT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHD3101FT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 64 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 64 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 11.7 ns |
| 下降时间 | 12.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD3101FT1GOSTR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 64 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 4.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Tj) |
| 系列 | NTHD3101F |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |