Datasheet下载- 型号： IXFN44N100P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN44N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN44N100P价格参考。IXYSIXFN44N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN44N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN44N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN44N100P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高电压和大电流特性，常用于高功率和高频率的应用场景。该器件的漏源电压（VDS）可达1000V，连续漏极电流（ID）可达44A，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备中的电机控制模块，尤其是高压电机驱动系统。 3. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、变频空调等设备中的功率逆变环节。 4. 焊接设备：高频焊接机、等离子切割设备等需要高功率开关的场合。 5. 工业控制与自动化系统：用于高电压负载的开关控制，如电磁阀、继电器替代等。 6. 测试与测量设备：作为高电压、大电流负载开关，用于电源测试仪、老化测试系统等。 由于其高耐压、大电流能力和良好的热稳定性，IXFN44N100P广泛应用于工业、能源、通信及消费类高端电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227BMOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN44N100PPolar™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN44N100P |
| Pd-PowerDissipation | 890 W |
| Pd-功率耗散 | 890 W |
| Qg-GateCharge | 305 nC |
| Qg-栅极电荷 | 305 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 54 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 305nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 功率-最大值 | 890W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37A |
| 系列 | IXFN44N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
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