Datasheet下载- 型号： SIHP25N50E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP25N50E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP25N50E-GE3价格参考。VishaySIHP25N50E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHP25N50E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP25N50E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP25N50E-GE3 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，具有 500V 的漏源击穿电压和 25A 的连续漏极电流能力，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能，适合在高功率条件下稳定工作。 其典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块；逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）；电机驱动电路，用于工业控制和家电中的交流电机控制；以及高压 DC-DC 转换器。此外，SIHP25N50E-GE3 还广泛应用于照明电源（如 HID 灯镇流器）和电焊机等高电压、大电流场合。 得益于其高耐压和强电流处理能力，该 MOSFET 在需要高效能与可靠性的电力电子系统中表现出色。同时，该器件符合 RoHS 环保要求，适合现代绿色电子产品设计。总体而言，SIHP25N50E-GE3 是中高功率应用中实现高效能量转换的理想选择。
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