| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7655ADN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7655ADN-T1-GE3价格参考。VishaySI7655ADN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7655ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7655ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7655ADN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件适用于多种应用场景,主要包括: 1. 电源管理:在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中,用于负载开关或电源路径管理,实现高效的电源分配与节能控制。 2. DC-DC 转换器:作为同步整流器或开关元件,用于提高转换效率,广泛应用于各类电源模块和适配器中。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的开启与关闭,如电机、LED 灯组或风扇等,避免使用机械开关带来的磨损问题。 4. 电机控制:在小型电机驱动电路中,用于控制电机的启停与方向,常见于工业自动化、机器人及消费类电子产品中。 5. 热插拔电路:在服务器和通信设备中,用于实现带电插拔功能,保护系统免受电流冲击。 SI7655ADN-T1-GE3 因其低导通电阻、小封装和高可靠性,特别适合空间受限且对效率有要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8SMOSFET -20V .0036ohm@-10V -40A P-Ch T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 40 A |
| Id-连续漏极电流 | - 40 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7655ADN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7655ADN-T1-GE3SI7655ADN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 72 nC |
| Qg-栅极电荷 | 72 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S |
| 其它名称 | SI7655ADN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
| 系列 | SI76xxADx |