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Datasheet下载- 型号： IRLR7833TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7833TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7833TRPBF价格参考。International RectifierIRLR7833TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR7833TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR7833TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR7833TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够高效地处理高电流负载，减少功率损耗。 2. 电机驱动：用于小型直流电机或无刷直流电机（BLDC）的驱动电路。其快速开关特性和低损耗特性使其适合于需要高效能和高可靠性的电机控制应用。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中用作充放电控制开关，确保电池的安全运行并延长使用寿命。 4. 消费电子设备：如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等便携式电子产品中的负载开关和保护电路。 5. 工业自动化：可用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和其他工业控制系统的信号隔离与功率传输环节。 6. 通信基础设施：基站功率放大器的偏置控制以及数据通信设备中的各种功率管理任务。 由于IRLR7833TRPBF具备优良的电气性能参数（例如极低的导通电阻、较高的连续漏极电流能力和良好的热稳定性），它非常适合作为高效节能解决方案的一部分，在多种需要高性能功率切换的应用场合下发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 140A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 A |
| Id-连续漏极电流 | 140 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7833TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7833TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.4 V to 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.4 V to 2.3 V |
| 上升时间 | 6.9 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR7833PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 66 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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