Datasheet下载- 型号： FQD7P06TM_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7P06TM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7P06TM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7P06TM_F080封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD7P06TM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7P06TM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7P06TM_F080 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效功率控制的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，具备低导通电阻特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，用于电动车、电动工具或工业自动化设备中。 3. 负载开关与继电器替代：用于替代传统机械继电器，在家电、工业控制系统中实现高速、无磨损开关操作。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）等对可靠性和效率有较高要求的场景。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、充电器等设备中的电源管理电路。 该MOSFET采用小型化封装，适合对空间要求较高的设计，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD7P06TM_F080 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 451 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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