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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFS3107TRLPBF 是一款功率 MOSFET 晶体管,属于单个 N 沟道 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热性能,适用于需要高效功率转换和控制的应用场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于通信设备、服务器和工业电源系统。 2. 电机控制:用于直流电机驱动器、步进电机控制器和电动工具中,提供高效的开关控制。 3. 电池管理系统(BMS):在电动车、储能系统和便携式设备中用于电池充放电管理和保护电路。 4. 照明系统:包括LED驱动器和高亮度照明控制电路,适用于汽车照明和工业照明应用。 5. 汽车电子:由于其高可靠性和符合AEC-Q101标准,常用于汽车中的功率控制模块,如车身控制、风扇驱动和继电器替代方案。 该器件采用表面贴装封装(如PowerPAK SO-8),适合自动化生产和紧凑型设计,广泛应用于高效、高密度的功率电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAKMOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 230 A |
Id-连续漏极电流 | 230 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3107TRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFS3107TRLPBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 370 W |
Pd-功率耗散 | 370 W |
Qg-GateCharge | 160 nC |
Qg-栅极电荷 | 160 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9370pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 140A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRFS3107TRLPBFCT |
功率-最大值 | 370W |
功率耗散 | 370 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 160 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 230 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 20 V |