Datasheet下载- 型号： SISS40DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SISS40DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISS40DN-T1-GE3价格参考。VishaySISS40DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SISS40DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SISS40DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SISS40DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效开关和电源管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的 DC-DC 转换器和负载开关，实现高效能与低功耗。 2. 负载开关与电源分配：用于控制电源流向不同模块，如服务器、工业控制系统中的电源管理单元。 3. 电池供电设备：因其低导通电阻和小封装，适合用于电池管理系统（BMS）中，提升电池使用效率。 4. 电机控制与驱动：在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件，适用于家用电器与工业自动化设备。 5. 通信设备：用于通信模块的电源控制与信号切换，如路由器、交换机等网络设备中。 该器件采用小型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于对空间和效率要求较高的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212MOSFET 100V .0210ohm@10V 36.5A N-Ch T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 36.5 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SISS40DN-T1-GE3ThunderFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SISS40DN-T1-GE3 |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21.6 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 845pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8S |
| 其它名称 | SISS40DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | ThunderFETr |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8S |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8S |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36.5A (Tc) |
| 系列 | SISxxxDN |
| 配置 | Single |
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