Datasheet下载- 型号： IRFSL9N60APBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL9N60APBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL9N60APBF价格参考。VishayIRFSL9N60APBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFSL9N60APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL9N60APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFSL9N60APBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沱增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） 该 MOSFET 具有高电压耐受能力（额定电压 600V），适用于开关电源中的高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。 2. 电机驱动 IRFSL9N60APBF 可用于中小功率电机驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。其低导通电阻特性有助于减少功耗，提高效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或 UPS 系统中，这款 MOSFET 可以用作开关器件，实现直流到交流的转换。其高电压和高电流处理能力使其适合这些应用。 4. 负载开关 由于其增强型设计，IRFSL9N60APBF 可用于各种负载开关应用中，提供高效的电源管理，同时保护下游电路免受过流或短路的影响。 5. PFC（功率因数校正）电路 在需要功率因数校正的设备中，如 LED 驱动器或工业电源，这款 MOSFET 可用于提升系统的功率因数，满足能效标准。 6. 电池管理系统（BMS） 在电池组保护和管理中，该 MOSFET 可用于充放电控制，确保电池安全运行并延长使用寿命。 7. 电子镇流器与照明控制 适用于荧光灯或 HID 灯的电子镇流器中，作为高频开关元件，调节灯光亮度和稳定性。 总结来说，IRFSL9N60APBF 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效能量转换和精确控制的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFSL9N60APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFSL9N60APBFIRFSL9N60APBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | *IRFSL9N60APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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