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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP380N60E由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP380N60E价格参考。Fairchild SemiconductorFCP380N60E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FCP380N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP380N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP380N60E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点。其主要参数包括:漏源电压(VDS)为600V,连续漏极电流(ID)可达36A,适用于高效率、高功率密度的开关应用。 该器件广泛应用于以下场景: 1. 电源转换设备:如AC-DC适配器、服务器电源、通信电源等,用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:在工业自动化和家电中作为电机控制开关,具备良好的热稳定性和快速响应能力。 3. 照明系统:如LED路灯或高压钠灯镇流器,适合高频开关工作环境。 4. 新能源领域:用于太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC变换器等,满足高效能与可靠性需求。 综上,FCP380N60E凭借其优异性能,适用于多种高电压、高功率的电力电子装置中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO220-3MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 10.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP380N60ESuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCP380N60E |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 380 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 10.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-fcp-superfets/3080http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.2A (Tc) |
| 系列 | FCP380N60 |