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产品简介:
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BS170PSTOA是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于小信号MOSFET类别。该器件广泛应用于低电压、低功率开关场景中。其典型应用场景包括便携式电子设备中的电源管理开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池供电控制。由于其导通电阻较低(RDS(on)),且驱动电压要求不高,适合用于逻辑电平控制的开关电路,例如微控制器与外围设备之间的接口驱动。 此外,BS170PSTOA常用于LED驱动电路中,作为恒流源或开关元件,实现高效节能的照明控制。在消费类电子产品中,它可用于音频设备的信号切换、继电器驱动电路或小型电机控制,因其响应速度快、功耗低,有助于提升系统整体能效。 该MOSFET采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于空间受限的便携式设备。同时,其良好的热稳定性和可靠性也使其适用于工业控制、传感器模块和电源转换电路中的低功率开关任务。总之,BS170PSTOA是一款性价比高、性能稳定的通用型N沟道MOSFET,适用于多种低功耗、高频开关的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CHAN 60V TO92-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BS170PSTOA |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 200mA,10V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 270mA (Ta) |