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Datasheet下载- 型号： STP36N55M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STP36N55M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP36N55M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP36N55M5价格参考￥38.34-￥41.52。STMicroelectronicsSTP36N55M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 550V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220。您可以下载STP36N55M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP36N55M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP36N55M5是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器，因其具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，有助于提升能效并减少发热。 2. 电机驱动：可用于工业自动化设备、电动工具及家用电器中的电机控制电路，提供快速开关响应与良好负载能力。 3. 照明系统：在LED照明与电子镇流器中作为高频开关元件，支持节能与小型化设计。 4. 汽车电子：用于车载充电系统、车身控制模块等，符合AEC-Q101标准，具备一定可靠性。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、游戏机等设备中的电源管理单元，实现紧凑设计与高效运行。 该器件采用PowerFLAT 5x6封装，具备优良热性能，适合高密度布局。设计时需注意散热与栅极驱动匹配，以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 550V 33A TO-220MOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh V FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP36N55M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP36N55M5 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 72 nC |
| Qg-栅极电荷 | 72 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2670pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13275-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253465?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 系列 | STP36N55M5 |
| 配置 | Single |
