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产品简介:
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IXYS品牌的IXFK20N80Q是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能电能转换,具备低导通损耗和快速开关特性。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化设备、伺服电机或步进电机的驱动电路中,提供稳定可靠的功率控制。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中作为核心开关元件,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 焊接设备:用于电焊机等高功率设备中,作为高频开关元件,提升设备效率和响应速度。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能变流器等,用于能量转换系统中,适应高电压工作环境。 6. 电动汽车与充电桩:在电动车的车载充电器或充电桩的电源模块中,实现高效率、高频率的功率转换。 该器件具备800V的漏源击穿电压和20A的额定电流,适合高压高功率应用场景,且具有良好的热稳定性和抗过载能力,适合工业级环境使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFK20N80Q |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 420 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
功率-最大值 | 360W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |