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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTF2955T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTF2955T1G价格参考¥1.31-¥1.92。ON SemiconductorNTF2955T1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 1.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载NTF2955T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTF2955T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NTF2955T1G是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效电源管理与开关控制的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:常用于DC-DC转换器、电压反向保护电路和负载开关,因其低导通电阻(RDS(on))可减少功耗,提高能效。 2. 电池供电设备:如便携式电子设备(智能手机、平板、移动电源等),适用于电池充放电控制和电源切换,有助于延长电池寿命。 3. 电机驱动与继电器驱动:作为开关元件控制小功率电机或继电器,响应速度快,驱动能力强。 4. 消费类电子产品:用于家电控制板、USB电源控制、LED驱动模块等,实现低电压、低电流条件下的稳定开关功能。 5. 工业控制与电源模块:在工业电源、电源分配系统中用于过流保护和热插拔控制。 NTF2955T1G采用SOT-223封装,具有良好的散热性能和可靠性,适合表面贴装,便于自动化生产。其-60V的漏源电压和-16A的连续漏极电流能力,使其在中高功率应用中表现优异。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接,适用于现代绿色电子产品设计。 综上,NTF2955T1G是一款高性能P沟道MOSFET,适用于多种电源开关与控制场景,尤其适合对效率、体积和可靠性有较高要求的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223MOSFET -60V 2.6A P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.6 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.6 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTF2955T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTF2955T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
Pd-功率耗散 | 2.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 7.6 ns |
下降时间 | 38 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 492pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 185 毫欧 @ 2.4A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | NTF2955T1GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 2.3 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 145 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 1.77 S |
汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
漏极连续电流 | - 2.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |
系列 | NTF2955 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |