【未分类_NTMFS4C50NT1G】封装/厂家_NTMFS4C50NT1G中文资料_价格

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型号： NTMFS4C50NT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4C50NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4C50NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4C50NT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTMFS4C50NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4C50NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4C50NT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性开关性能的电源管理系统中。

其主要应用场景包括：  
1. 电源转换系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率，有助于降低功耗，提高能源利用率。  
2. 电机驱动：在工业控制、电动工具及家用电器中的小型电机驱动电路中，提供快速开关响应和良好的热稳定性。  
3. 照明电源：用于LED驱动电源模块，支持恒流输出与高效能工作。  
4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、显示器、适配器等设备的电源管理单元。  
5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车灯控制、风扇驱动）等对可靠性和温度范围要求较高的环境。  

该MOSFET采用先进的沟槽技术，具备优良的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，工作结温可达175°C，适合在较恶劣环境中稳定运行。同时，其封装形式（如DPAK或TO-252）便于散热设计与自动化生产，提升了系统整体可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 30V 46A SO8FLMOSFET T6 LC SO8FL
产品分类	FET - 单分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	78 A
Id-连续漏极电流	78 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4C50NT1G*
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册
产品型号	NTMFS4C50NT1G
Pd-PowerDissipation	2.57 W
Pd-功率耗散	2.57 W
Qg-GateCharge	30 nC
Qg-栅极电荷	30 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.2 V
上升时间	32 ns
下降时间	7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	21 ns
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	SO-8FL
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,500
系列	NTMFS4C50N
配置	Single