Datasheet下载- 型号： IRL540NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL540NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL540NSPBF价格参考￥5.47-￥5.83。International RectifierIRL540NSPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL540NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL540NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRL540NSPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单个器件。以下是该型号的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRL540NSPBF适用于各种开关电源电路，例如DC-DC转换器、降压或升压电路等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频开关应用中表现出较低的功耗和高效能。 2. 电机驱动 该器件适合用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率并减少热量生成。 3. 电池管理 在电池管理系统中，IRL540NSPBF可用于电池保护、充放电控制以及负载切换等功能。它能够承受较大的电流波动，并保持稳定的性能。 4. LED驱动与调光 由于其低导通电阻和良好的热性能，IRL540NSPBF可应用于大功率LED驱动电路中，实现高效调光和亮度调节。 5. 工业自动化 在工业领域，该MOSFET可用于继电器替代、电磁阀驱动、传感器接口等场合，提供快速响应和可靠操作。 6. 汽车电子 虽然IRL540NSPBF并非专门设计用于极端环境下的汽车应用，但在某些非关键车载系统中（如车窗升降、座椅调节等），它仍然可以发挥重要作用。 7. 音频放大器 在一些低成本音频放大器设计中，该MOSFET可以用作输出级元件，提供足够的电流以驱动扬声器。 8. 负载开关 它也常被用作负载开关，在需要频繁开启或关闭高电流负载的情况下表现优异。 总结来说，IRL540NSPBF凭借其优秀的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业设备、通信设施及轻型汽车电子等领域，尤其适合需要高效能和低损耗的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 49.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL540NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL540NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 49.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 49.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 81 ns |
| 下降时间 | 62 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRL540NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 63 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 49.3 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 36 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl540ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl540ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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