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产品简介:
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FDPF3N50NZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压、中等功率的开关应用。其典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能开关操作,提供良好的导通损耗和开关损耗平衡。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中,作为功率开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 照明系统:如LED驱动电源中,用于实现恒流控制或调光功能,具备高可靠性和稳定性能。 4. 消费电子产品:如电视、音响设备、充电器等内部电源管理模块中,承担高效率电能转换任务。 5. 工业自动化设备:用于工业控制电路中的负载开关、继电器替代或高频开关应用,具备高耐用性和快速响应能力。 该器件具有高击穿电压(500V)、低导通电阻、高热稳定性和优良的雪崩能量吸收能力,适合在较为严苛的工作环境下使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF3N50NZUniFET-II™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDPF3N50NZ |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 27 W |
Pd-功率耗散 | 27 W |
Qg-GateCharge | 6.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 15 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 27W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 1.9 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |
系列 | FDPF3N50NZ |