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  • 型号: SIS452DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIS452DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIS452DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS452DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS452DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS452DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS452DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIS452DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的电源开关和负载管理,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。

2. DC-DC 转换器:用于同步整流或作为高端/低端开关,提升转换效率,适合小功率电源模块设计。

3. 负载开关:控制外设或模块的供电,如在服务器、工业控制系统中实现快速、低损耗的开关操作。

4. 电池供电设备:由于其低功耗特性,适合用于电池管理系统(BMS)中,实现充放电控制或防止反向电流。

5. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机、继电器或电磁阀的开关控制,具备较高的可靠性和较长的使用寿命。

该器件采用小型封装(如TSSOP),适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、通信设备及部分工业控制领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAKMOSFET 12V 35A N-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

35 A

Id-连续漏极电流

35 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS452DN-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIS452DN-T1-GE3SIS452DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

52 W

Pd-功率耗散

52 W

Qg-GateCharge

27 nC

Qg-栅极电荷

27 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V to 2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V to 2.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1700pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

41nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.25 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SIS452DN-T1-GE3DKR

功率-最大值

52W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

50 S

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

35A (Tc)

系列

SISxxxDN

配置

Single

零件号别名

SIS452DN-GE3

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