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SIS452DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS452DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS452DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS452DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS452DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS452DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS452DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的电源开关和负载管理,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。 2. DC-DC 转换器:用于同步整流或作为高端/低端开关,提升转换效率,适合小功率电源模块设计。 3. 负载开关:控制外设或模块的供电,如在服务器、工业控制系统中实现快速、低损耗的开关操作。 4. 电池供电设备:由于其低功耗特性,适合用于电池管理系统(BMS)中,实现充放电控制或防止反向电流。 5. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机、继电器或电磁阀的开关控制,具备较高的可靠性和较长的使用寿命。 该器件采用小型封装(如TSSOP),适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、通信设备及部分工业控制领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAKMOSFET 12V 35A N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
Id-连续漏极电流 | 35 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS452DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIS452DN-T1-GE3SIS452DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-GateCharge | 27 nC |
Qg-栅极电荷 | 27 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V to 2.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V to 2.2 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.25 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SIS452DN-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 52W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 50 S |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |
系列 | SISxxxDN |
配置 | Single |
零件号别名 | SIS452DN-GE3 |