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STP2N62K3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP2N62K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP2N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTP2N62K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 620V 2.2A(Tc) 45W(Tc) TO-220。您可以下载STP2N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP2N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP2N62K3是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):STP2N62K3具备高耐压和良好导通性能,适合用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等开关电源中,作为主开关或同步整流开关使用。 2. 电源适配器与充电器:该器件适用于笔记本电脑、手机等电子设备的电源适配器和充电器,有助于提高能效和减小体积。 3. 电机驱动:在直流电机、步进电机等驱动电路中,STP2N62K3可作为功率开关使用,具备良好的开关特性和热稳定性。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,该MOSFET可用于高频开关控制,实现高效能、高稳定性的光源供电。 5. 工业控制设备:包括PLC、继电器驱动模块、自动化设备中的电源开关控制等。 6. 电池管理系统:用于电池充放电管理电路中,实现高效能的能量控制。 该MOSFET具有低导通电阻、高雪崩耐受能力以及良好的热性能,适合在中高功率应用中使用,同时兼容常见的栅极驱动电路,便于设计和应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP2N62K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP2N62K3 |
Pd-PowerDissipation | 45 W |
Pd-功率耗散 | 45 W |
Qg-栅极电荷 | 15 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-12612-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248175?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 620V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Tc) |
系列 | STP2N62K3 |
配置 | Single |