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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STP140N8F7
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP140N8F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP140N8F7价格参考。STMicroelectronicsSTP140N8F7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP140N8F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP140N8F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STP140N8F7是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的80V MOSFET，采用先进的STripFET™ F7工艺制造。该器件具有140A大电流承载能力和极低的导通电阻（RDS(on) typ. 3.2mΩ），适用于高效率、高功率密度的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，尤其在同步整流拓扑中可显著降低导通损耗，提升整体能效。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具、家用电器中的电机驱动电路，因其快速开关特性和高电流能力，能有效控制启停与调速。 3. 电动汽车与车载系统：可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器及电池管理系统（BMS）中的功率切换，满足汽车级可靠性要求。 4. 新能源系统：在太阳能逆变器和储能系统中作为主开关器件，实现高效能量转换。 5. 工业与消费电子：如服务器电源、UPS不间断电源、照明驱动等高功率密度设计中，有助于减小散热需求和整体体积。 STP140N8F7采用TO-220或D²PAK等封装，具备良好的热性能和可靠性，适合需要高效率、高稳定性的中高功率应用，是现代电力电子系统中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 90A TO-220MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP140N8F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP140N8F7 |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 96 nC |
| Qg-栅极电荷 | 96 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6340pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 mOhm @ 45A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14569-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 90 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
| 系列 | STP140N8F7 |
| 配置 | Single |
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