Datasheet下载- 型号： SPB80N03S2L-03 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB80N03S2L-03 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB80N03S2L-03 G价格参考。InfineonSPB80N03S2L-03 G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB80N03S2L-03 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB80N03S2L-03 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 SPB80N03S2L-03 G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于晶体管中的 FET（场效应晶体管）类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于高效率、高密度的电源管理系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流电源模块和电压调节模块（VRM），特别适合笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源转换。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如无人机、电动工具和家用电器（如风扇、洗衣机）中作为开关元件，实现精确的启停与调速控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护板中，作为充放电控制开关，提供过流、短路保护功能，常见于便携式电子设备和电动自行车。 4. 汽车电子：应用于车载电源系统，如车灯控制、风扇驱动和辅助电源模块，具备良好的温度稳定性和可靠性，满足汽车级工作环境要求。 5. 消费类电子产品：用于手机充电器、适配器、USB PD 快充模块等，因其低损耗特性有助于提升能效和减小发热。 SPB80N03S2L-03 G 采用 PG-TSDS-6 封装，体积小巧，适合高密度贴装设计，结合 Infineon 先进的沟槽栅技术，确保了在低电压应用（如 30V）下的高性能表现。整体上，该 MOSFET 适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的中低电压功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB80N03S2L-03 G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000200142 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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