Datasheet下载- 型号： SI2316BDS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2316BDS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2316BDS-T1-E3价格参考。VishaySI2316BDS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2316BDS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2316BDS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2316BDS-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：SI2316BDS-T1-E3 可用作开关元件，在降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）转换器中实现高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中用于控制负载的开启和关闭，降低功耗并保护电路。 - 线性稳压器：作为旁路开关或调整管，用于提高稳压器的效率。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路，提供高效的开关控制。 - 在 H 桥或半桥电路中，用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 - 用于锂离子电池或其他可充电电池的充放电保护电路，防止过流、短路或过热。 - 在电池组中作为平衡开关，确保各节电池电压一致。 4. 信号切换 - 在音频设备或通信系统中，用作低噪声信号切换开关，保证信号的完整性。 - 适用于多路复用器或多路选择器电路。 5. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，检测电流异常并切断电路。 - ESD保护：结合其他元件，防止静电对敏感电路的损害。 6. 消费类电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理和外围接口控制。 - 在 USB 充电端口或 Type-C 接口中，作为保护和切换开关。 7. 工业应用 - 在工业自动化设备中，用于控制传感器、执行器或继电器的供电。 - 适用于 LED 驱动电路，调节亮度或实现恒流控制。 特点总结 SI2316BDS-T1-E3 具有低导通电阻（典型值为 10.5mΩ）、高电流能力（连续漏极电流可达 12A）和快速开关速度，适合需要高效能和小体积的应用场合。其小型封装（DFN1006-2A）也使其非常适合空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23MOSFET 30V 4.5A 1.66W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?70445 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2316BDS-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2316BDS-T1-E3SI2316BDS-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns, 65 ns |
| 下降时间 | 11 ns, 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2316BDS-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 11 ns |
| 功率-最大值 | 1.66W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 3.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2316BDS-E3 |
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