Datasheet下载- 型号： IPS10N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPS10N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS10N03LA G价格参考。InfineonIPS10N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPS10N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPS10N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IPS10N03LA G的器件属于晶体管中的MOSFET类别，具体为单沟道MOSFET。该器件主要设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用。 该MOSFET的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的电压转换与调节。 2. 电机控制：适用于电动工具、家电和工业自动化中的电机驱动电路，提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关：在汽车电子和工业控制系统中作为电子开关，控制高电流负载的通断。 4. 逆变器系统：用于UPS（不间断电源）或太阳能逆变器中，支持高效的能量转换。 5. 电池管理系统：在电池充放电控制电路中，用于高频率开关操作，提升系统效率。 IPS10N03LA G具备低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合需要高可靠性和紧凑设计的中高功率应用。其封装形式也便于散热设计和PCB布局，广泛应用于工业、汽车和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD10N03LA_Rev1.8_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429c7dc41f4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPS10N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1358pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 其它名称 | IPS10N03LAGX |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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