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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R6-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R6-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R6-30PL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN1R6-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R6-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R6-30PL,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有极低导通电阻(RDS(on) 典型值仅 1.6 mΩ @ VGS = 10 V)、30 V 耐压及高达 120 A 的脉冲漏极电流能力。 其主要应用场景包括: ✅ 高效率 DC-DC 电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、降压(Buck)转换器及负载点(POL)稳压模块,凭借超低 RDS(on) 显著降低导通损耗,提升能效与功率密度。 ✅ 电机驱动与电子负载:适用于无人机电调(ESC)、电动工具、风机/泵类 BLDC 或有刷电机的 H 桥/半桥驱动,支持快速开关与大电流响应。 ✅ 电池管理系统(BMS)与电源保护:用于锂电池组的充放电主回路开关、过流/短路保护电路,其低热阻封装利于散热,保障系统可靠性。 ✅ LED 驱动与固态继电器(SSR):在高亮度 LED 恒流驱动或替代机械继电器的固态开关中,提供无触点、长寿命、抗振动的控制方案。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.1 V),可直接由 MCU 或 FPGA GPIO 控制,简化驱动设计;同时具备良好的雪崩耐量与热稳定性,适用于严苛工业环境。 (字数:398)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABMOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R6-30PL,127 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 163 ns |
| 下降时间 | 87 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12493pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 212nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4900-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 174 ns |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |