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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R6-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R6-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R6-30PL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN1R6-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R6-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R6-30PL,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 TrenchMOS 场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效率和低导通损耗的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器,特别是在服务器、通信设备和工业电源中,因其低导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动:常用于电动工具、家用电器和工业控制中的直流电机或步进电机驱动电路,提供快速开关响应和高电流承载能力。 3. 电池管理系统(BMS):在锂离子电池保护电路中作为充放电控制开关,利用其低导通电阻和高可靠性,确保电池安全高效运行。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明驱动和车身控制模块(如车窗升降、座椅调节等),满足 AEC-Q101 汽车级认证要求,具备良好的温度稳定性和耐用性。 5. 负载开关与热插拔应用:由于具备快速开关特性和低栅极电荷,适合用于热插拔控制器和电源多路复用系统,防止浪涌电流损坏电路。 该器件采用 LFPAK 封装,具有优异的散热性能和机械可靠性,适合自动化生产,广泛用于工业、汽车和消费类电子产品中,是追求高功率密度和高能效设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TO220ABMOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R6-30PL,127 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 163 ns |
| 下降时间 | 87 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12493pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 212nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4900-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 174 ns |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |