Datasheet下载- 型号： SST4416-T1-E3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SST4416-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SST4416-T1-E3价格参考。VishaySST4416-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SST4416-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SST4416-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SST4416-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 JFET（结型场效应晶体管），广泛应用于需要低噪声、高稳定性和高频性能的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声前置放大器：SST4416-T1-E3 具有低噪声特性，常用于音频放大器、测量仪器和通信设备中的前置放大电路，以提高信号的清晰度和稳定性。 2. 高频放大电路：该器件具有良好的高频响应，适用于射频（RF）放大器、调谐器和无线通信系统中的信号放大。 3. 模拟开关与多路复用器：由于其良好的线性特性和低导通电阻，SST4416-T1-E3 可用于模拟开关和多路复用电路中，实现对模拟信号的高效切换。 4. 电压控制电路：作为电压控制元件，可用于可变衰减器、增益控制电路和自动增益控制（AGC）系统中。 5. 工业控制与传感器接口：在工业自动化和传感器信号调理电路中，该JFET可用于精确控制和信号处理。 该器件采用小尺寸表面贴装封装（SOT-23），适合高密度PCB布局，适用于便携设备和高性能电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 36V 5MA SOT-23JFET 36V 5mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix SST4416-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SST4416-T1-E3SST4416-T1-E3 |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.2pF @ 15V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 零件号别名 | SST4416-E3 |
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