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MMBF5462产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5462由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5462价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF5462封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 40V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBF5462参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF5462 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBF5462是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET具有较低的噪声系数,MMBF5462广泛应用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中,特别适合处理微弱信号。 2. 模拟开关与调制电路:凭借其良好的开关特性和线性控制能力,可用于模拟信号切换、自动增益控制(AGC)及调制解调电路。 3. 振荡器与射频电路:在高频小信号应用中,如RF振荡器、接收机前端电路等,MMBF5462因其稳定的跨导性能和频率响应而被采用。 4. 恒流源设计:在精密电流源或偏置电路中,利用JFET的饱和特性构建简单可靠的恒流结构。 5. 教育与实验电路:由于其参数稳定、使用简单,也常见于电子工程教学实验中,用于讲解FET工作原理和放大电路设计。 MMBF5462采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式设备,如通信模块、音频设备和测量仪器。其低功耗、高可靠性特点使其在工业控制、消费电子和电信领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 40V 225MW SOT23JFET P-Channel Transistor General Purpose |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF5462- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF5462 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 11 mA to 18 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1.8V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 4mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF5462DKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.002 S to 0.006 S |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 系列 | MMBF5462 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 40 V |
| 闸/源截止电压 | 9 V |