Datasheet下载- 型号： 2N5461_D26Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5461_D26Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5461_D26Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N5461_D26Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5461_D26Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5461_D26Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5461_D26Z 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。该器件具有良好的高频特性和低失真性能，适用于多种电子系统设计。 其主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于其低噪声特性，2N5461_D26Z 常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音频设备中，以提升信号的清晰度与保真度。 2. 模拟开关与可变电阻应用：JFET可用作电压控制的模拟开关或可变电阻，适用于自动增益控制（AGC）电路和信号调节系统。 3. 射频（RF）与高频电路：该器件具备良好的高频响应，适用于射频信号放大、混频器及调制解调电路等通信相关设计。 4. 传感器接口电路：在需要高输入阻抗的传感器信号采集系统中，如温度、压力或光传感器，该JFET有助于减少对传感器电路的影响，提高测量精度。 5. 运算放大器前端：作为高阻抗输入级，2N5461_D26Z 可用于构建精密运算放大电路，提升整体电路的性能表现。 综上，2N5461_D26Z 因其优异的低噪声、高输入阻抗和良好的高频特性，广泛应用于音频处理、通信系统、传感器接口和精密模拟电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET P-CH 40V 350MW TO92JFET P-Channel Transistor General Purpose |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor 2N5461_D26Z- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5461_D26Z |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | - 2 mA to - 9 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0015 S to 0.005 S |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | 2N5461 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 40 V |
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