Datasheet下载- 型号： 2SK3666-4-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3666-4-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3666-4-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK3666-4-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3666-4-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3666-4-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3666-4-TB-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道JFET（结型场效应晶体管），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 音频放大器：由于JFET具有低噪声和高线性度的特点，2SK3666-4-TB-E常用于前置放大器、麦克风放大器和高保真音频设备中，以提升音质表现。 2. 模拟开关和多路复用器：该器件可作为低失真模拟开关使用，适用于信号路由和自动测试设备（ATE）中的多路复用电路。 3. 传感器接口电路：在需要高输入阻抗的传感器信号采集系统中，如温度、压力或生物信号检测，该JFET有助于减少对传感器的负载影响，提高测量精度。 4. 电压控制电阻：JFET可在可变电阻模式下工作，用于电压控制衰减器或自动增益控制（AGC）电路中。 5. 低噪声前置放大电路：适用于通信系统、测试仪器中的信号预处理模块，提升系统信噪比。 综上，2SK3666-4-TB-E因其低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性，广泛应用于音频、测量、传感器接口等对信号完整性要求较高的模拟电路领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 10MA 200MW CP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3666-4-TB-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 180mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2.5mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 200 欧姆 |
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