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产品简介:
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ON Semiconductor 的 MMBF5484LT1 是一款 N 沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:MMBF5484LT1 具有较低的噪声系数,适合用于前置放大器电路,特别是在音频放大、传感器信号调理和无线通信接收前端中,能有效提升信号的信噪比。 2. 模拟开关与可变增益控制:由于其良好的线性特性和电压控制能力,常用于模拟开关、压控电阻或自动增益控制(AGC)电路中,实现对信号通断或幅度的精确调节。 3. 高频小信号处理:在射频(RF)和中频(IF)电路中,该器件可用于小信号放大和混频等应用,适用于便携式通信设备、无线模块和射频识别(RFID)系统。 4. 高输入阻抗输入级设计:在运算放大器、仪表放大器或数据采集系统的输入级中,利用其高输入阻抗特性,可减少对微弱信号源的负载影响,提高测量精度。 5. 便携式与电池供电设备:由于采用 SOT-23 小型封装,功耗低、体积小,非常适合用于智能手机、可穿戴设备、医疗监测仪器等对空间和功耗敏感的应用场景。 综上所述,MMBF5484LT1 凭借其低噪声、高输入阻抗和小型化优势,在精密模拟信号处理、通信和便携式电子设备中具有广泛的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET N-CH 25V 225MW SOT23 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMBF5484LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 300mV @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 15V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBF5484LT1OSCT |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
电阻-RDS(开) | - |