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产品简介:
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PMBFJ308,215 是由 NXP USA Inc. 生产的 JFET(结型场效应晶体管)型号,属于晶体管 - JFET 分类。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 低噪声放大:PMBFJ308,215 适合用于低噪声放大器设计,特别是在射频 (RF) 和音频信号处理中。其高输入阻抗和低噪声特性使其成为精密信号放大的理想选择。 2. 开关应用:由于 JFET 的固有特性,PMBFJ308,215 可用作模拟开关或信号路由设备中的开关元件。它能够在低功耗条件下实现快速切换。 3. 缓冲器和源跟随器:该晶体管可以用作源极跟随器,提供高输入阻抗和低输出阻抗,从而在信号缓冲和阻抗匹配中发挥重要作用。 4. 可变增益放大器:通过调节栅极电压,PMBFJ308,215 能够实现对增益的动态控制,适用于需要可变增益的放大器设计。 5. 传感器接口:在传感器信号调理电路中,PMBFJ308,215 的高输入阻抗特性非常适合与高阻抗传感器配合使用,确保信号不失真地传输。 6. 电源管理:虽然 JFET 不是传统意义上的功率器件,但 PMBFJ308,215 可用于一些低功率电源管理电路中,例如限流保护或简单稳压电路。 7. 音频和通信设备:该晶体管适用于各种音频设备和通信系统中的信号处理任务,包括调制解调器、混频器和振荡器等。 总的来说,PMBFJ308,215 凭借其优异的电气特性和稳定性,广泛应用于需要高精度、低噪声和可靠性能的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 60 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBFJ308,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBFJ308,215 |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 12 mA to 60 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 12mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 10V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934008980215 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 25 V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 漏源电压VDS | 25 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS(开) | 50 欧姆 |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 6.5 V |
| 零件号别名 | PMBFJ308 T/R |