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产品简介:
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MPF4393RLRPG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 JFET(结型场效应晶体管)。该型号属于双通道 N 沟道 JFET,广泛应用于需要低噪声、高输入阻抗和线性性能的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 音频信号处理 MPF4393RLRPG 的高输入阻抗和低噪声特性使其非常适合用于音频放大器、麦克风前置放大器以及音响设备中的信号调理电路。它能够精确传递弱信号,同时保持高质量的音效。 2. 射频(RF)和无线通信 由于其优异的线性度和低失真特性,这款 JFET 可用于射频信号的放大和调制解调电路中,特别是在低功率无线通信模块中。 3. 模拟开关和多路复用器 MPF4393RLRPG 的双通道设计使其成为实现模拟开关或多路复用器的理想选择。它可以用于切换不同的信号源而不会引入显著的信号失真。 4. 传感器接口电路 在传感器应用中,JFET 的高输入阻抗特性可以有效减少对敏感传感器输出的影响,例如在光电二极管、热电偶或其他高阻抗传感器的信号调理电路中。 5. 可变增益放大器 利用 JFET 的栅极电压控制特性,MPF4393RLRPG 可以用作可变增益放大器的核心元件,适用于自动增益控制(AGC)系统。 6. 电源管理 在某些低功耗应用中,MPF4393RLRPG 可用于电流限制、电压调节或简单的负载开关功能。 7. 数据采集系统 其低漏电流和高阻抗特性使其适合用于精密数据采集系统的前端缓冲器,确保信号完整性。 总之,MPF4393RLRPG 凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种电子领域,尤其是在需要高精度和低噪声的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | AMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92JFET 30V 10mA |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor MPF4393RLRPG- |
数据手册 | |
产品型号 | MPF4393RLRPG |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA to 30 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 500mV @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10pF @ 15V(VGS) |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | MPF4393RLRPG-ND |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带盒(TB) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 2,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
漏源电压VDS | 30 V |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | 100 欧姆 |
系列 | MPF4393 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 30 V |