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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ175由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ175价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ175封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBFJ175参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ175 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBFJ175是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:MMBFJ175具有低噪声特性,常用于音频前置放大器、传感器信号调理电路等对信噪比要求较高的场合。 2. 射频(RF)电路:由于JFET具备良好的高频响应性能,该器件适用于射频放大器、接收机前端和无线通信系统中的小信号放大。 3. 模拟开关与调制电路:JFET的电压控制特性使其适合用作模拟开关或增益控制元件,在自动增益控制(AGC)电路中表现优异。 4. 恒流源设计:在精密电源和偏置电路中,MMBFJ175可构建稳定的恒流源,为其他有源器件提供偏置电流。 5. 教育与实验电路:因其参数稳定、使用简单,也常用于电子工程教学实验中的基本放大电路搭建。 MMBFJ175采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度布局的便携式设备,如手持仪器、通信模块和消费类电子产品。其低功耗和高输入阻抗特性进一步增强了在电池供电设备中的适用性。总体而言,该器件是一款高性能的小信号JFET,适用于需要高输入阻抗、低噪声和良好线性度的模拟应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET P-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ175- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ175 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 0.03 mA to 0.5 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBFJ175-ND |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 125 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 125 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ175 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 30 V |
| 闸/源截止电压 | 6 V |
| 零件号别名 | MMBFJ175_NL |