ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单 > MBRS360BT3G
Datasheet下载- 型号： MBRS360BT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRS360BT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRS360BT3G价格参考。ON SemiconductorMBRS360BT3G封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 60V 3A SMB。您可以下载MBRS360BT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRS360BT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MBRS360BT3G是一款肖特基势垒二极管，属于二极管-整流器-单类别。该器件具有低正向压降（典型值0.58V）和高效率特性，适用于需要高效能与低功耗的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，作为输出整流二极管，提升整体转换效率，尤其适用于低电压、大电流输出的设计。 2. 反向电池保护电路：因其低导通损耗和快速响应能力，常用于防止电池反接损坏系统，常见于便携式电子设备和汽车电子中。 3. 电源适配器与充电器：在手机、笔记本电脑等消费类电子产品的电源模块中，用于提高能效并减少发热。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源和小型逆变器中实现高效的能量转换与续流功能。 5. 工业控制与电源管理模块：适用于各类工业电源、电机驱动电路中的续流或箝位二极管。 MBRS360BT3G采用表面贴装SMB（TO-263AA）封装，便于自动化生产，具备良好的热性能和可靠性。其3A平均整流电流和60V反向重复峰值电压，使其在中等功率应用中表现出色。同时，该型号符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规认证，适用于汽车级环境，增强了在严苛条件下的稳定性。 综上，MBRS360BT3G凭借其高效、可靠、小型化的特点，广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子及工业电源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRS360BT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRS360BT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 740mV @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 其它名称 | MBRS360BT3GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 封装/箱体 | SMB |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 150 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 125 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.74 V at 3 A |
| 正向连续电流 | 4 A |
| 热阻 | 11°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 60V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 系列 | MBRS360 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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