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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4119由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4119价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF4119封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBF4119参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4119 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF4119 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 JFET(结型场效应晶体管)。它属于 N 沟道增强型晶体管,具有低噪声、高输入阻抗和优异的线性度等特性。以下是 MMBF4119 的一些典型应用场景: 1. 音频信号放大 MMBF4119 由于其低噪声特性和高输入阻抗,非常适合用于音频设备中的前置放大器。例如,在麦克风信号放大、吉他效果器或耳机放大器中,它可以提供高质量的信号处理。 2. 射频(RF)电路 该晶体管适用于低功率射频应用,如无线通信模块、调谐器和混频器。其高频性能使其能够有效处理射频信号,同时保持较低的失真。 3. 模拟开关 MMBF4119 可用作模拟开关,用于信号路由或选择。它的低导通电阻和快速开关速度使其在多路复用器或多通道信号切换中表现出色。 4. 电压控制电路 在需要精确电压控制的应用中,如可变增益放大器或可调电源电路,MMBF4119 的线性调节能力可以实现平滑的电压变化。 5. 传感器信号调理 对于低电平信号输出的传感器(如温度传感器、压力传感器),MMBF4119 可以作为信号放大器,将微弱的信号放大到适合后续处理的水平。 6. 低功耗设计 由于其低静态电流特性,MMBF4119 也适用于电池供电设备中的低功耗电路设计,例如便携式电子设备或远程监控系统。 7. 振荡器和定时电路 该晶体管可用于构建 RC 或 LC 振荡器,以及简单的定时电路。其稳定性和可靠性确保了长时间运行的准确性。 总之,MMBF4119 凭借其出色的电气性能,广泛应用于各种需要高精度、低噪声和高输入阻抗的电子电路中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 40V 225MW SOT23JFET N-Channel Switch |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF4119- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBF4119 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 225 mW |
Pd-功率耗散 | 225 mW |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 50 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 2V @ 1nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 200µA @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBF4119CT |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 225 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.0001 S to 0.00033 S |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | MMBF4119 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 40 V |
闸/源截止电压 | - 6 V |