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  • 型号: MMBF5460
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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MMBF5460产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5460由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5460价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF5460封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 40V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBF5460参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF5460 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBF5460是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括:

1. 低噪声放大器:MMBF5460具有较低的噪声系数,适合用于前置放大器电路,如音频放大器、传感器信号调理电路等,能有效提升信噪比。

2. 高频放大与射频(RF)电路:由于其良好的高频特性,常用于射频接收前端、无线通信设备中的小信号放大,如FM收音机、无线遥控和射频识别(RFID)系统。

3. 模拟开关与调制电路:JFET的电压控制特性使其适用于模拟开关、自动增益控制(AGC)和电压可变电阻等应用,MMBF5460在这些场景中表现出良好的线性度和稳定性。

4. 振荡器与函数发生器:在需要稳定频率输出的LC或RC振荡电路中,MMBF5460可用于构建高性能振荡器,常见于测试仪器和信号源设计中。

5. 高输入阻抗电路:由于JFET固有的高输入阻抗特性,该器件适用于仪表放大器、电荷放大器及高阻抗探头等对输入负载影响敏感的应用。

综上所述,MMBF5460凭借其低噪声、高输入阻抗和优良的高频性能,广泛用于通信、音频处理、测量仪器和各类模拟信号处理系统中,是一款可靠的小信号JFET器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET P-CH 40V 225MW SOT23JFET P-Channel Transistor General Purpose

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

P 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF5460-

数据手册

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产品型号

MMBF5460

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-功率耗散

225 mW

Vgs-栅源极击穿电压

40 V

Vgs=0时的漏-源电流

4 mA to 8 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

750mV @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

1mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7pF @ 15V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBF5460CT

功率-最大值

225mW

功率耗散

225 mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

60 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

正向跨导-最小值

0.001 S to 0.004 S

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

40V

电阻-RDS(开)

-

系列

MMBF5460

配置

Single

闸/源击穿电压

40 V

闸/源截止电压

6 V

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