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MMBF5460产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5460由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5460价格参考。Fairchild SemiconductorMMBF5460封装/规格:晶体管 - JFET, JFET P-Channel 40V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBF5460参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF5460 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF5460是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,广泛应用于模拟和高频电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:MMBF5460具有较低的噪声系数,适合用于前置放大器电路,如音频放大器、传感器信号调理电路等,能有效提升信噪比。 2. 高频放大与射频(RF)电路:由于其良好的高频特性,常用于射频接收前端、无线通信设备中的小信号放大,如FM收音机、无线遥控和射频识别(RFID)系统。 3. 模拟开关与调制电路:JFET的电压控制特性使其适用于模拟开关、自动增益控制(AGC)和电压可变电阻等应用,MMBF5460在这些场景中表现出良好的线性度和稳定性。 4. 振荡器与函数发生器:在需要稳定频率输出的LC或RC振荡电路中,MMBF5460可用于构建高性能振荡器,常见于测试仪器和信号源设计中。 5. 高输入阻抗电路:由于JFET固有的高输入阻抗特性,该器件适用于仪表放大器、电荷放大器及高阻抗探头等对输入负载影响敏感的应用。 综上所述,MMBF5460凭借其低噪声、高输入阻抗和优良的高频性能,广泛用于通信、音频处理、测量仪器和各类模拟信号处理系统中,是一款可靠的小信号JFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 40V 225MW SOT23JFET P-Channel Transistor General Purpose |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF5460- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF5460 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 4 mA to 8 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 750mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF5460CT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.001 S to 0.004 S |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 系列 | MMBF5460 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 40 V |
| 闸/源截止电压 | 6 V |