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  • 型号: MMBFU310LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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MMBFU310LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFU310LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFU310LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBFU310LT1G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 25V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBFU310LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFU310LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 25V 225MW SOT23JFET 25V 10mA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor MMBFU310LT1G-

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产品型号

MMBFU310LT1G

PCN组件/产地

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Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgs=0时的漏-源电流

24 mA to 60 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

2.5V @ 1nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

24mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5pF @ 10V(VGS)

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产品种类

JFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBFU310LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

25V

漏源电压VDS

25 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

25V

电阻-RDS(开)

-

系列

MMBFU310L

配置

Single

闸/源击穿电压

25 V

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