Datasheet下载- 型号： 2N4117A-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4117A-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4117A-E3价格参考。Vishay2N4117A-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N4117A-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N4117A-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的2N4117A-E3是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），其主要应用场景包括以下方面： 1. 信号放大 - 2N4117A-E3因其高输入阻抗特性，非常适合用于低噪声、高增益的信号放大电路。它常被应用于音频设备中，例如麦克风前置放大器和音频信号处理电路。 2. 开关应用 - 该器件可用作简单的模拟开关或电子开关，适用于需要低导通电阻和快速响应的场景，例如音频信号切换或传感器信号选择。 3. 射频和无线通信 - 由于其良好的线性和高频性能，2N4117A-E3可以用于射频（RF）电路中，例如混频器、振荡器和调制解调器中的信号处理。 4. 恒流源 - 2N4117A-E3可以用作恒流源，为LED、激光二极管或其他需要稳定电流的器件提供驱动电流，确保输出稳定。 5. 音频和视频设备 - 在音频和视频设备中，这款JFET可用于缓冲器、增益控制和信号调节电路，以实现高质量的信号传输和处理。 6. 传感器接口 - 它可以作为高输入阻抗的缓冲器，与低输出阻抗的传感器配合使用，确保信号不失真地传输到后续处理电路。 7. 电源管理 - 在一些低功耗应用中，2N4117A-E3可以用作简单的电压调节器或限流保护元件，适用于便携式设备和电池供电系统。 总结 2N4117A-E3凭借其高输入阻抗、低噪声和稳定的性能，在信号放大、开关控制、射频通信和传感器接口等领域具有广泛的应用价值。它的典型工作电压范围为-20V至+20V，最大漏极电流为400mA，适合中小功率的电子电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AFJFET 40V 0.03mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N4117A-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N4117A-E32N4117A-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 600mV @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 30µA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-206AF （TO-72） |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-206AF，TO-72-4 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-206AF |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 200 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
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