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产品简介:
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2N5461_D74Z 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 前置放大器电路:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,2N5461_D74Z 常用于音频和射频信号的前置放大,尤其是在麦克风、传感器信号采集等对噪声敏感的应用中。 2. 模拟开关与多路复用器:该器件可作为模拟开关使用,用于信号路径的选择与控制,适用于测试设备、数据采集系统。 3. 电压控制电阻:JFET可在可变电阻模式下工作,用于电压控制的衰减器或增益调节电路中。 4. 射频(RF)电路:在低频至中高频段,2N5461_D74Z 可用于射频信号的混频、调制与解调电路中。 5. 工业控制与传感器接口:适用于需要高输入阻抗的传感器信号调理电路,如温度、压力、光信号的采集与处理。 该器件采用TO-92封装,适合通孔安装,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET P-CH 40V 350MW TO92 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N5461_D74Z |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 1V @ 1µA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带盒(TB) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
标准包装 | 2,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | - |