Datasheet下载- 型号： MMBFJ175LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ175LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ175LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBFJ175LT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ175LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ175LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBFJ175LT3G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 JFET（结型场效应晶体管），具体型号为 MMBFJ175 系列中的一个版本。该器件具有低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性，适用于多种电子电路应用。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器 - MMBFJ175LT3G 的低噪声特性和高输入阻抗使其非常适合用于音频信号的前置放大器。它可以处理微弱的音频信号，同时保持高质量的音质。 2. 射频（RF）和无线通信 - 由于其高频率性能和低失真特性，该 JFET 可用于射频信号的放大和混频电路中，尤其是在低功率无线通信系统中。 3. 开关电路 - MMBFJ175LT3G 可用作简单的模拟开关或缓冲器，适用于需要高输入阻抗和低导通电阻的应用场景。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，该 JFET 可作为输入级放大器，用于放大来自低输出电流传感器（如光电二极管或热电偶）的微弱信号。 5. 振荡器和滤波器 - MMBFJ175LT3G 可用于设计 RC 振荡器、LC 振荡器以及有源滤波器，提供稳定的频率响应和较低的相位噪声。 6. 低功耗电路 - 由于其低静态功耗特性，该 JFET 适合用于电池供电设备中的低功耗应用，例如便携式电子设备或物联网节点。 7. 测试和测量设备 - 高输入阻抗和低噪声特性使 MMBFJ175LT3G 成为测试与测量仪器（如示波器探头、数据采集系统）的理想选择。 总结 MMBFJ175LT3G 的主要优势在于其出色的线性性能、低噪声和高输入阻抗，这使得它在需要精确信号处理和低功耗运行的场景中表现出色。具体应用包括音频、射频、传感器信号调理、振荡器设计以及低功耗电子设备等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBFJ175LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V（VGS） |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 125 欧姆 |
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