Datasheet下载- 型号： BLF8G10LS-160,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-160,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-160,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-160,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-160,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-160,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF8G10LS-160,118 是一款高性能的射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于先进的 LDMOS 技术，具备高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于工作频率在 700–1000 MHz 范围内的系统。 其典型应用场景包括：陆地移动通信（如公共安全通信、集群无线电系统）、广播发射机（特别是 UHF 电视发射设备）以及工业、科学和医疗（ISM）频段中的高功率射频源。此外，BLF8G10LS-160,118 常用于第四代（4G）LTE 基站的高功率放大器模块中，支持大范围无线网络覆盖。 该器件采用空气腔封装，具有良好的散热性能和可靠性，适合连续波（CW）和高调制信号工作条件。其高击穿电压和稳健的过载能力，使其在恶劣运行环境下仍能保持稳定性能，广泛应用于需要高可用性和长寿命的通信基础设施设备中。 总之，BLF8G10LS-160,118 主要面向专业级射频功率放大场景，特别适用于基站发射系统、数字广播和关键通信网络等对性能和可靠性要求较高的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G10LS-160,118 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8671-2 |
| 功率-输出 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.7dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 920MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |
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