Datasheet下载- 型号： NE55410GR-T3-AZ
- 制造商： CEL
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE55410GR-T3-AZ由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE55410GR-T3-AZ价格参考。CELNE55410GR-T3-AZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE55410GR-T3-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE55410GR-T3-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE55410GR-T3-AZ 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能射频MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于4G LTE和5G Sub-6 GHz频段（如1.8–2.7 GHz）的宏基站或小型基站（Small Cell）末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率需求； - 无线基础设施设备：如中继器、分布式天线系统（DAS）及有源天线单元（AAU）中的射频前端模块； - 工业与军事射频系统：用于雷达发射模块、电子对抗（EW）、测试测量仪器等需宽频带、高增益与良好热稳定性的场合； - 宽带射频放大器设计：凭借其增强型GaAs pHEMT工艺、高fT（>40 GHz）、高输出功率（典型P1dB达32 dBm @ 2.14 GHz）及优良的OIP3线性度，适合多载波WCDMA/LTE信号放大。 该器件采用紧凑型4引脚SOT-363（SC-70）封装，具备低热阻、高可靠性，支持表面贴装，适用于空间受限的高密度PCB布局。需配合匹配网络与偏置电路使用，并注意散热管理以维持长期稳定性。 （注：该型号已进入瑞萨产品生命周期“Not Recommended for New Designs”阶段，新项目建议评估替代型号如NE55411/NE55412系列。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE55410GR-T3-AZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-HTSSOP |
| 功率-输出 | 35.4dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 16-DFF 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 20mA |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | 250mA，1A |
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