【未分类_BLS7G2730L-200PU】封装/厂家_BLS7G2730L-200PU中文资料_价格

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型号： BLS7G2730L-200PU
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLS7G2730L-200PU由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS7G2730L-200PU价格参考。NXP SemiconductorsBLS7G2730L-200PU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLS7G2730L-200PU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS7G2730L-200PU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的 BLS7G2730L-200PU 是一款晶体管 - FET，MOSFET - 射频类型的器件，其应用场景主要集中在高频射频领域。以下是该型号的主要应用场景：

1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)：  
   BLS7G2730L-200PU 适用于设计高效率、高性能的射频功率放大器。它能够在高频段（如 S 波段和 C 波段）提供稳定的功率输出，广泛用于通信系统中的信号增强。

2. 无线通信基站：  
   在蜂窝网络中，这款 MOSFET 可以用于基站的射频功率放大模块，支持 LTE、5G 等现代通信技术所需的高频传输需求。

3. 雷达系统：  
   由于其出色的射频性能和高功率处理能力，BLS7G2730L-200PU 被广泛应用于各种雷达系统，包括气象雷达、空中交通管制雷达以及军事用途的相控阵雷达。

4. 广播电视发射机：  
   在广播行业中，该器件可用于电视和 FM 广播发射机的射频功率放大器部分，确保信号覆盖范围广且质量稳定。

5. 航空航天与国防：  
   此类高性能射频 MOSFET 常用于航空航天设备及国防电子系统中，例如卫星通信、导航系统和电子对抗设备。

6. 工业加热和等离子体应用：  
   在一些工业应用中，例如射频感应加热或等离子体生成，这款 MOSFET 可以提供必要的射频能量转换。

总结来说，BLS7G2730L-200PU 的主要优势在于其高频率操作能力、大功率输出以及高效率特性，因此非常适合需要高性能射频解决方案的各种应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS S-BAND 200W LDMOST
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLS7G2730L-200PU
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	SOT539A
其它名称	934067607112
功率-输出	200W
包装	管件
噪声系数	-
增益	12dB
封装/外壳	SOT539A
晶体管类型	LDMOS （双），共源
标准包装	20
电压-测试	32V
电压-额定	65V
电流-测试	100mA
频率	2.7GHz ~ 3GHz
额定电流	-