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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MAGX-003135-120L00由M/A-COM设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAGX-003135-120L00价格参考。M/A-COMMAGX-003135-120L00封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MAGX-003135-120L00参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MAGX-003135-120L00 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions(现为MACOM)的型号MAGX-003135-120L00是一款高电子迁移率晶体管(HEMT),属于射频(RF)MOSFET类别。该器件主要应用于高频、高性能射频系统中,适用于需要低噪声和高线性度的场景。 其典型应用场景包括: 1. 无线通信基础设施:用于基站、微波回传系统和蜂窝网络设备中,作为低噪声放大器(LNA)或驱动放大器,提升信号接收灵敏度和传输质量。 2. 卫星通信:在地面站和卫星终端设备中,用于处理C波段、Ku波段等高频信号,确保稳定高效的信号放大。 3. 雷达与测试设备:用于雷达接收前端和射频测试仪器中,提供优异的噪声性能和宽带响应,支持精准测量与探测。 4. 工业与医疗射频系统:如射频加热、成像设备中的射频源控制模块,满足对高稳定性与可靠性的要求。 该器件采用紧凑型封装设计,适合高密度电路布局,并具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于宽温度范围及复杂电磁环境下的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | FET GAN RF 120W 3.1GHZ-3.5GHZ |
产品分类 | RF FET |
品牌 | M/A-Com Technology Solutions |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MAGX-003135-120L00 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | - |
其它名称 | 1465-1094 |
功率-输出 | 120W |
包装 | 散装 |
噪声系数 | - |
增益 | 11.2dB |
封装/外壳 | - |
晶体管类型 | HEMT |
标准包装 | 5 |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 300mA |
频率 | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
额定电流 | 9mA |